Durante la cumbre anual Flash Memory que abrirá sus puertas hoy en Santa Clara, California, SandForce presentará un prototipo de SSD que alterna entre las celdas NAND Flash y las celdas MLC de 24nm de Toshiba.
Al emparejar los controladores SandForce con la memoria NAND construida a través de este proceso avanzado de fabricación, los productores de unidades de estado sólido podrán desarrollar SSDs más asequibles.
Para contrarrestar los problemas de confiabilidad que tienden a aparecer cuando se hace la transición a menores nodos de producción, SandForce ha trabajado junto con Toshiba en la expansión de su tecnología DuraClass con una serie de nuevas funcionalidades, que incluyen técnicas adicionales de recuperación de lectura.
Estas técnicas complementan el circuito integrado de control introducido por Toshiba en sus memorias Flas NAND de 24nm, que ejecuta un algoritmo especial para la comprobación y la corrección de los errores existentes en los chips sin integrar una carga en el controlador de host.
Toshiba afirma que al usar esta tecnología, los chips NAND de 24nm permitirán velocidades de lectura 1,9 veces más rápidas y velocidades de grabación 1,5 veces más rápidas en comparación con aquellas proporcionadas por los dispositivos de la generación actual de 32nm.
De acuerdo con el comunicado de prensa de SandForce, la memoria Flash de Toshiba de 24nm puede manejar hasta 166 mega-transferencias por segundo.
«Siendo uno de los principales proveedores de memorias Flash NAND, Toshiba está mejorando constantemente esta tecnología y gracias a su colaboración con empresas que creen en el poder de la innovación, como SandForce, puede ofrecer SSDs de alta calidad a precios más asequibles», dijo Shigeo Ohshima, director ejecutivo en el sector de memorias y aplicaciones de ingeniería de Toshiba Corporation.
«El procesador SandForce SF-2000 alterna con la memoria Flash NAND de 24nm para facilitar la creación de una SSD óptima que permitirá velocidades increíbles en los portátiles delgados y ligeros, así como en las aplicaciones empresariales estándar”.
Una unidad de estado sólido de 2,5 pulgadas construida usando un controlador SandForce SF-2000 de 6Gbps y la memoria Flash NAND de 24nm de Toshiba será expuesta durante la Cumbre Flash Memory que se celebrará entre el 9 y el 11 de agosto.