Tanto AMD como Nvidia están por lanzar pronto sus nuevas arquitecturas para tarjetas gráficas, y los productos para sistemas de alto rendimiento orientados a procesamiento de datos e inteligencia artificial requerirán el máximo ancho de banda posible en las memorias para procesar la información lo más rápido posible. Es por eso que Samsung lanzó su tercera generación de memorias HBM2E Flashbolt, orientadas justamente a estos sistemas de cómputo de alto rendimiento.
Las nuevas memorias permiten ofrecer hasta 16Gb por memoria, y al colocar una pila de 12 memorias, tendremos un total de 24GB de memoria HBM2E en una sola pila. La mayoría de las gráficas de AMD y Nvidia con HBM usan 4 pilas, por lo que teóricamente podríamos ver hasta 96GB de ram.
Estas nuevas memorias permiten obtener anchos de banda de hasta 538GB/s por pila, o un total de 2152GB/s en las cuatro pilas, pasando los 2TB/s lo cual es una locura. Como comparación, la segunda generación de Samsung Flashbolt permitía hasta 410GB/s por pila, y la mejor propuesta actual de SK Hynix ofrece hasta 460GB/s por pila, por lo que esta nueva propuesta de Samsung es lo mejor que se consigue de momento.
Samsung mencionó que veremos estas implementaciones de 538GB/s en productos comerciales pronto, aunque no mencionó cual de sus partners será el encargado de esta implementación.
¿Que opinan sobre estas nuevas memorias HBM2E Flashbolt de Samsung?
Fuente: TechPowerUp
