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Hardware

Samsung anuncia sus memorias HBM2E Flashbolt

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Durante GTC 2019, Samsung presentó su más reciente avance en lo que es memorias de alto ancho de banda (HBM), llamadas HBM2E Flashbolt.

Estas nuevas memorias cuentan con un ancho de banda 33% mayor frente a las HBM2 actuales, y 100% más capacidad de almacenamiento. Poniéndolo en números, tienen 16Gb por DIE en vez de 8Gb, por lo que al apilarlas tendremos 16GB por pila. De esta forma, una gráfica con 4 pilas como las Tesla V100 o las Radeon Instinct podrán tener hasta 64GB de VRAM. Además cada paquete tendrá 410Gb/s de ancho de banda, llegando a 1640Gb/s de ancho de banda si usamos 4 paquetes.

Seguramente no veamos estas memorias en gráficas de la línea GeForce o Radeon RX, ya que GDDR6 ofrece un ancho de banda suficiente para la mayoría de las tareas, a un precio mucho menor del de estas HBM2E Flashbolt. Su campo de aplicación son las gráficas Tesla y Radeon Instinct que mencionamos previamente, que son las líneas para cómputo de altas prestaciones de Nvidia y AMD respectivamente.

¿Que opinan sobre las nuevas Samsung HBM2E Flashbolt?

 

Fuente: Guru3D