Memoria NAND Flash eMMC de 10nm de Samsung, usando chips de memoria de 64 Gb (Gigabit), la compañía logró crear la nueva solución de memoria eMMC Pro Class 2000 de 64 GB, que es un 30 por ciento más rápida que la primera memoria incrustada de Samsung que admite la interfaz eMMC 4.5.
Como recordatorio, el primer producto de memoria de este tipo fue lanzado hace cinco meses y, en comparación con la avanzada tarjeta MLC NAND de 20nm (64 Gb), que fue lanzado en mayo de este año, la productividad de fabricación es un 20% superior.
En cuanto a las especificaciones, el recién llegado tiene una velocidad de grabación aleatoria de 2.000 IOPS (entrada/salida por segundo) y una velocidad de lectura de 5.000 IOPS.
Mientras tanto, las velocidades de lectura y grabación secuenciales son de 260 MB/s y 50 MB/s, respectivamente.
Esto significa que la nueva solución es 10 veces mejor que la tarjeta de memoria externa Class 10, que alcanza velocidades de 24 MB/s y 12 MB/s, respectivamente.
«El nuevo eMMC de factor de forma pequeña y de alta velocidad refuerza el liderazgo de la tecnología de Samsung en el mercado de soluciones de almacenamiento», dijo Myungho Kim, el vicepresidente de marketing de Samsung Electronics.
Samsung no mencionó los precios y la fecha de disponibilidad de esta tarjeta de memoria, pero este es uno de aquellos casos cuando estos detalles se pueden adivinar con facilidad.