El Vicepresidente Senior de Intel Rob Crooke anunció que el gigante de los chips invertirá $ 5,5 mil millones en los próximos años en su planta de Dalian, China, para mejorar las instalaciones para la producción de memoria no volátil. Intel dijo que espera comenzar la producción inicial de la tecnología NAND 3D en Dalian, en la segunda mitad de 2016.
Intel quiere comenzar la producción de 3D Nand para SSDs y seguir siendo competitivo con los Intel Solid State Drive, división que hace crecer dos dígitos cada año en ingresos para la empresa.