Todavía recuerdo una de mis primeras PCs, con 2MB de RAM (sí, megabytes con una M) y la actualización a 4MB de RAM para poder jugar, que recuerdos. Ahora, los teléfonos inteligentes tienen 4 GB de RAM, algunos con 6 GB de RAM y ahora Hynix está preparando los 8 GB de RAM para teléfonos inteligentes.
SK Hynix estará aprovechando el antiguo proceso de fabricación de 21nm para los chips de 8GB, que estarán listas para los smartphones en donde importe el precio / rendimiento al contrario del proceso de 10nm más eficiente, que Samsung está usando para su módulo de 8GB.
El módulo de 8GB de SK Hynix funcionará a 3.73GHz, ofreciendo un ancho de banda de hasta 29.8Gbps. El proceso de 21nm en sí podría ser más antiguo y menos eficiente, pero proporcionará a los fabricantes de teléfonos inteligentes abaratar costos.
Todo esto es parte de los planes de expansión de SK Hynix, la compañía esta invirtiendo $ 1.8 mil millones en una nueva planta de fabricación en Cheongju, Corea del Sur, donde producirá memorias flash NAND. La compañía también invertirá en su otra fabrica en Wuxi, China, que fabrica DRAM, con el fin de satisfacer la creciente demanda de los consumidores.