TSMC, la fábrica de semiconductores líder a nivel mundial, comenzó la construcción de una nueva planta para la fabricación del nodo de 2 nm. La empresa reveló algunos de sus planes para los procesos de fabricación avanzados que tendrán lugar en los próximos años.
Según un informe de DigiTimes, además de la construcción del centro de investigación y desarrollo (I+D) de 2 nm, TSMC también inició la construcción de la planta para la fabricación de ese nodo, por lo que estará lista a tiempo para los planes de la empresa. Hay que tener en cuenta que el nombre del nodo no representa el tamaño del transistor, por lo que en realidad no tendrá 2 nm de ancho.
Las nuevas instalaciones estarán ubicadas cerca de la sede de TSMC en el Parque Científico de Hsinchu, Taiwán. Además, el informe también confirma los primeros detalles sobre el nodo: Utilizará la tecnología Gate-All-Around (GAA). En adición, se informa que la planificación para el nodo de 1 nm ha comenzado.
TSMC impulsará nuevas tecnologías
Además de estos avanzados nodos, TSMC también presentó sus planes para acelerar el impulso de la tecnología de embalaje 3D Fabric, que incluye SoIC, InFO, CoWoS y WoW. Aunque algunas de estas tecnologías son en realidad 2.5D, se producirán en masa en las instalaciones de ZhuNan y NanKe, a partir de la segunda mitad del 2021 y se espera que contribuyan significativamente a las ganancias de la empresa.
Por último se informa que la competencia, Samsung, ya cuenta con una tecnología 3D propia llamada X-cube. Sin embargo, estaría atrayendo a los clientes más lentamente que TSMC, debido a los altos costos de la misma.
TSMC ya está comenzando a preparar todo para el nodo de 2 nm ¿Estaremos llegando al límite?
Fuente: DigiTimes