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SK Hynix inicia la producción en masa de la DRAM de alta velocidad HBM2E, la mas rápida del mundo

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SK Hynix anunció que comenzó la producción a gran escala de DRAM de alta velocidad ‘HBM2E’, solo diez meses después de que la compañía anunciara el desarrollo del nuevo producto en agosto del año pasado.

La memoria HBM2E de SK Hynix admite un ancho de banda de más de 460 GB/s gracias a sus 1024 pines con ancho de banda de 3.6Gb/s. Es la solución DRAM más rápida en la industria, pudiendo transmitir 124 películas Full HD (3.7 GB cada una) por segundo. La densidad es de 16 GB apilando verticalmente ocho chips de 16 Gb a través de la tecnología TSV (Through Silicon Via), alcanzando el doble de capacidad de su predecesora, la memoria HBM2.

HBM2E es en resumen la memoria más rápida del mercado, la de mas alta capacidad y la de menor consumo, siendo una solución de memoria óptima para los sistemas de inteligencia artificial de próxima generación, incluido el aprendizaje profundo y la computación de alto rendimiento, que requieren un rendimiento de máximo nivel.

Además, se espera que se aplique a la supercomputadora Exascale, un sistema informático de alto rendimiento que puede realizar cálculos un quintillón de veces por segundo, la cual dirigirá investigaciones medicas, cambios climáticos, y exploración espacial.

“SK Hynix ha estado a la vanguardia de la innovación tecnológica para la civilización humana con logros que incluyen el primer desarrollo mundial de productos HBM”, dijo Jonghoon Oh, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Marketing (CMO) en SK hynix. “Con la producción en masa a gran escala de HBM2E, continuaremos fortaleciendo nuestra presencia en el mercado de memorias premium y liderando la cuarta revolución industrial”.

¿Están ansiosos por ver los primeros productos con memorias HBM2E de SK Hynix?

 

 

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