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Hynix presentó su hoja de ruta para los próximos 10 años, y sorprendió al revelar sus planes para lo que la compañía está llamando 4D NAND. 

Para explicar la nueva tecnología, primero debemos recordar que es 3D NAND. En una explicación rudimentaria, la tecnología consiste en apilar las memorias de manera vertical para reducir el espacio y el costo del producto en general. Para lograr esto, compañías como Samsung y Western Digital utilizan una arquitectura conocida como CTF, donde se utiliza nitruro de silicio para almacenar electrones. Al final de cuentas, la gran ventaja es que esto disminuye el precio final de los producción de la memoria.

La gran novedad en las 4D NAND es que se posiciona el circuito periférico debajo de las células de memoria, y no a su lado, como lo hacen Samsung y WD. De la misma manera que todas las tecnologías citadas hasta aquí, lo que todo esto hace es disminuir el espacio ocupado y, así hacer, que los costos de producción sean menores.

Un detalle importante, es que, esta técnica no es necesariamente nueva. Intel y Micron ya habían hecho algo similar con su memoria 3D flash, en lo que ellos llaman CMOS under Array (CuA). Samsung también reveló que planea utilizar un proyecto CuA como este en el futuro.

Sin embargo, la hoja de ruta de Hynix impresiona. La compañía pretende realizar el muestreo de su memoria 4D NAND de 1ª generación a finales de 2018. También están desarrollando memorias QLC 4D NAND, con sus modelos de 96 capas, previstas para llegar al mercado en el 2º semestre de 2019.

En el futuro, SK Hynix espera alcanzar memorias 4D NAND de 500 capas, pero la empresa no definió la fecha en que planea llegar a esto.