SK Hynix acaba de lanzar el primer chip 4D NAND Flash basado en CTF de 96 capas a 512Gb. Chips basados en sus matrices de TLC que utilizan el diseño 4D Charge Trap Flash (CTF) combinado con la tecnología Peri Under Cell (PUC). La combinación de ambos, es la primera realizada en la industria, según SK Hynix. Aunque ha habido prototipos previos de integración de 3D Floating Gate con PUC.
El chip 4D NAND reduce más del 30% el tamaño del chip. Además, aumenta la productividad de bits por oblea en un 49% en comparación con la NAND 3D de 72 Capas de 512 Gb. El producto tiene un 30% más de escritura y un 25% más de rendimiento de lectura. Además, su ancho de banda se duplica a los 64KB, el más grandes de la industria.
Con la introducción de una arquitectura de aisladores de múltiples puertas, su velocidad de IO de datos alcanza los 1,200 Mbps a 1,2 V de potencia de operación.
¿Cuándo podemos ver los productos 4D NAND?
SK Hynix comenzará la primera etapa de producción en masa de 4D NAND de 96 capas en este año. Un solo chip NAND Flash de 512 Gb puede transformarse en 64 GB de almacenamiento.