Samsung anunció que ha entrado en producción en masa los chip de 10nm de memoria DDR4. Los chips tienen una capacidad de 8 GB, con frecuencia de 3200MHz, consumen 10 por ciento menos de energía y se mejoro la productividad de la oblea en un 30 por ciento frente a los 20 nm en DDR4.
Samsung abre la puerta por primera vez a los 10 nanómetros en la carrera por el escalado de la memoria DDR4. Samsung ha logrado éste nuevo hito en la industria gracias a su especial proceso de fabricación en el que utilizan un proceso de inmersión en ArF (fluorato de argón) sin utilizar equipamiento EUV (extreme ultra violet). Samsung no solo establece los primeros chips de memoria DDR4 a 10 nanómetros de la industria, sino que además se superan a sí mismos reduciendo a la mitad la litografía de los chips en menos de dos años (Samsung también fue el primero en fabricar chips DDR3 de 4 Gb (gigabit) a 20 nanómetros en 2014).
La mejor parte de éste hito es sin duda que ahora las obleas de chips saldrán más rentables, lo que repercute en los costes de fabricación para Samsung y por ende en el precio final del producto. Según los cálculos de la compañía, si comparamos el actual proceso de fabricación de chips DDR4 de 8 Gb a 10 nm con el que tenían antes de chips DDR3 de 4 Gb a 20 nm, se aprovecha en torno a un 30% más la superficie de la oblea.
En el caso de los nuevos chips a 10 nanómetros se añade otro nivel de dificultad en la fabricación, ya que hay que apilar condensadores muy estrechos de forma cilíndrica (condensadores X) que contienen grandes cargas eléctricas encima de unos transistores de apenas 12 nanómetros de ancho, creando más de 8.000 millones de celdas por chip.
Samsung ha logrado crear esta litografía de manera satisfactoria utilizando una tecnología de diseño de circuitería propietaria (por lo que no veremos ésta tecnología en otros fabricantes a no ser que la licencien) y una litografía de cuádruple dibujo. Con éste cuádruple dibujo, se permite el uso del equipo fotolitográfico que Samsung ya tenía de anteriores generaciones, ahorrando mucho coste de fabricación ya que no ha habido apenas inversión en nuevo equipamiento.
Se espera que podamos ver los primeros productos comerciales de Samsung con éstos nuevos chips DRAM de 8 Gb a 10 nm en el cuarto trimestre de este año, aplicados tanto a dispositivos móviles de la compañía como a memorias RAM para el mercado del consumidor.