El gigante fabricante coreano Samsung acaba de anunciar sus módulos de memoria DDR4 de alta densidad con capacidades de hasta 16 GB.
El módulo anunciado hoy es una memoria RDIMM DDR4 de 16 GB para servidores.
Samsung ha estado en la vanguardia del desarrollo de memorias DDR4 desde diciembre de 2010, cuando mostró por primera vez un módulo DDR4 industrial de 30nm, con capacidad de 2 GB.
El modelo de 16 GB se basa en la misma tecnología de fabricación de 30 nm, pero Samsung prometió comenzar a fabricar chips de memoria con la tecnología de 20nm el próximo año.
Una vez que comience a fabricar chips de memoria de 20nm, las densidades alcanzarán una sorprendente capacidad de 32 GB por módulo.
Una de las ventajas de la memoria DDR4 es que funciona con un voltaje bastante modesto, de 1,2V que, en comparación con el voltaje estándar de las memorias DDR3, de 1,35V, estos modelos consumirán hasta un 40% menos energía.
La empresa ya ha enviado muestras de módulo de memoria DDR4 de 8 GB y 16 GB en junio a los fabricantes de controladores y CPUs para pruebas y desarrollo.
DDR4 duplicará el rendimiento alcanzado por la memoria DDR3 actualmente, además de duplicar la velocidad de 1.600 MBits/s de los módulos mencionados.
Samsung fue la primera compañía que introdujo una memoria DDR en 1997.