Durante su Día Anual de Tecnología, Samsung reveló gran información sobre las próximas tecnologías sobre las que está trabajando en el rubro de memorias RAM. Las novedades incluyen DDR5, DDR6, GDDR6+, GDDR7, y HBM3, demostrando que los ingenieros de la compañía surcoreana están trabajando arduamente en los últimos avances tecnológicos.
Por el lado de las memorias DDR6, Samsung está preparando módulos que van desde las especificaciones JEDEC de 12800MT/s hasta módulos que alcanzan los 17000MT/s, marcando un enorme incremento en el ancho de banda aún frente a los módulos DDR5 recién lanzados, que de momento no suelen superar los 6000MT/s.
Pasando al lado de memorias para GPUs, Samsung también trabaja en las nuevas memorias GDDR6+, que a diferencia de GDDR6X que simplemente eleva las frecuencias, también tiene algunos ajustes internos para mejorar el ancho de banda y la estabilidad. Se espera que este tipo de memorias alcance un ancho de banda de 24Gbps, por lo que una GPU con bus de 256 bits podrá alcanzar un ancho de banda de 768GB/s, lo cual es una cifra increíble.
Por si GDDR6+ no era lo suficientemente rápido, Samsung ya está trabajando en el nuevo estándar GDDR7, el cual alcanzará anchos de banda de hasta 32Gbps, con las cuales una GPU con bus de 256 bits alcanzará un ancho de banda de 1TB/s, una verdadera locura.
Finalmente, Samsung confirmó que planea comenzar a producir sus memorias HBM3 en el segundo trimestre de 2022, buscando competir contra Hynix, que apunta a comenzar la producción alrededor de la misma fecha.
¿Qué opinan sobre todos estos avances en el mercado de memorias que prepara Samsung? ¿Cuál de todos estos tipos de memoria es el que más esperan?
Fuente: WCCFTech