Samsung ha presentado una nueva versión que se coloca como la memoria integrada más rápida del mundo, esto es posible gracias a la utilización de chips NAND de 64 GB con tecnología de 10 nm, siendo los primeros es soportar el estándar eMMC 5.0.
Los chips estarán disponibles en versiones de 16, 32 y 64 GB y contarían con una interfaz de 400 MB/s. Los modelos de 32 y 64 GB ofrecerían velocidades de lectura y escritura de 7.000 IOPS y velocidades secuenciales de lectura y escritura de 250 y 90 MB/s respectivamente.
Se trata de memorias especialmente diseñadas para su uso en multitarea, navegación, transferencia de archivos, captura de vídeo en HD, etc.