Samsung lanza una memoria de acceso aleatorio como una memoria de almacenamiento NAND basadas en el proceso de fabricación de 20nm.
Eso significa que Samsung tiene nuevos módulos de memoria DRAM y unidades de estado sólido para servidores empresariales y matrices de almacenamiento para servidores.
Samsung promociona sus nuevos productos como la cuarta generación de soluciones de memoria ‘verdes’.
Uno de los nuevos dispositivos de la empresa es la SSD SM843, con soporte para la interfaz SATA de 6 Gb/s. Este producto se dirige a los servidores, pero también podría servir a los consumidores, ya que los PCs también utilizan la interfaz SATA.
El segundo producto se llama SM1625 y su interfaz SAS se corresponde mejor con el almacenamiento empresarial.
En cuanto a las memorias DDR3, la compañía comenzó la producción de módulos DDR3 de 20nm con capacidad de 4 Gb el mes pasado (octubre de 2012). Las memorias DDR3 de 20nm con capacidad de 2 Gb fueron producidas en septiembre.
Samsung no ofreció detalles sobre cuántos nuevos módulos y kits deberíamos esperar o qué capacidades tendrán las SSDs .
Sin embargo, la empresa explicó en detalle las ventajas de la tecnología de 20nm sobre la de 40nm.
De hecho, Samsung garantizó que el uso de almacenamiento DRAM y SSD de 20nm llevará a una disminución de un 20% en el consumo energético y a un aumento de rendimiento de hasta un 600%.