Samsung comenzó la producción de los primeros chips de memoria RAM DDR4 usando su proceso de producción de segunda generación a 10 nm. Con eso, la empresa puede comenzar a fabricar circuitos integrados para DRAMs con dies de tamaño reducido.
Además, el nuevo proceso ofrecerá en torno a un 30% más de producción con respecto a la primera generación. Además, se espera también una mejora en el rendimiento del 10% y una reducción del consumo en un 15% respecto a la mencionada, primera generación. Se espera que estas tengan una velocidad de funcionamiento de los 3.600MB/s, contra los 3.200MB/s, respecto a la primera generación. La compañía también ha destacado, permitirá acelerar diferentes procesos de fabricación de memoria para gráficas y memorias DRAM, como son la DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6. Ya han sido validados por los fabricantes de CPUs líderes en la industria como Intel, AMD y IBM Qualcomm.
El nuevo IC incluye un sistema de sensores de datos que proporciona una estimación más precisa de la cantidad de datos almacenados en cada celda. Esto resulta en una mejor integración entre estas células, permitiendo incluso que sean de tamaño reducido.
Para completar, Samsung anunció que acelerará la producción de todo tipo de memorias, incluyendo DDR4 y dispositivos móviles, en busca de sostener “la creciente demanda de DRAM en sistemas electrónicos premium alrededor del mundo”.
Esto incluye fabricar productos usando las 2 generaciones del proceso de 10nm.