Samsung anunció el inicio de la producción en masa de los chips de memoria V-NAND de 5ª generación. De acuerdo con la compañía, las nuevas piezas llegan con mejora en las velocidades de transferencia de datos.
Los nuevos chips son los primeros de la industria en utilizar la interfaz Toggle DDR 4.0, con velocidades de transferencia de hasta 1,4 Gigabit por segundo (Gbps). Esta es una mejora del 40% en comparación con la generación anterior, que tenia 64 capas.
La empresa destaca una mejora del 30% en la latencia de escritura, que ahora alcanzó una velocidad de 500μs. Al mismo tiempo, las memorias V-NAND de 5ª generación de Samsung mantienen la misma eficiencia energética de los productos anteriores, con una tensión de operación reducida de 1.8V a 1.2V.
Los nuevos chips de memoria de Samsung traen más de 90 capas, un récord para la industria hoy en día. Las capas se apilan en una estructura de pirámide y se organizan en más de 85 mil millones de células «charge trap flash» (CTF).
«Los productos y soluciones V-NAND de 5ª generación de Samsung van a entregar el mejor rendimiento en un mercado que crece rápidamente. Además de los avances tecnológicos, estamos preparando ofertas en 1 TB para nuestra línea V-NAND que seguirán dirigiendo el ritmo de las soluciones de memoria NAND de próxima generación a través del mercado global.
– Kye Hyun Kyung, vicepresidente de productos flash de Samsung