Samsung comenzó la producción en masa de chips de memoria de 128 Gb con células multi-nivel (MLC) NAND Flash de 3 bits.
La empresa usará estos chips para tarjetas de memoria de 128 GB, unidades de estado sólido con capacidad para más de 500 GB, memorias de alta densidad y dispositivos de almacenamiento.
El nivel de rendimiento es de 400 Mbps, según la interfaz de la memoria DDR2.0.