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Samsung es la primera empresa en desarrollar memoria DRAM DDR5 de 512 GB

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En el día de hoy, Samsung anunció que se ha convertido en la primera empresa del sector en desarrollar memorias DRAM DDR5 de 512 GB. Para lograr esto, recurrieron a la tecnología de fabricación High-K Metal Gate (HKMG).

El proceso HKMG fue adoptado por primera vez en la industria con la memoria GDDR6 de Samsung en el año 2018, para tarjetas gráficas .Al sustituir el aislante por material HKMG, la memoria DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas energéticas y alcanzar nuevos máximos de rendimiento.

En concreto, esta memoria utilizará un 13% menos de energía, lo que la hace especialmente adecuada para los centros de datos, donde la eficiencia energética es cada vez más crítica. También será destinada a cargas de trabajo extremas de gran ancho de banda en supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML).

Además, para lograr ofrecer una capacidad de 512 GB, la memoria DDR5 de Samsung apila ocho capas de chips DRAM de 16 GB gracias a la tecnología Through-Silicon Via (TSV). Esta se utilizó por primera vez en la memoria DRAM en 2014, cuando Samsung presentó módulos para servidores con capacidades de hasta 256 GB.

“Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento y, al mismo tiempo, energéticamente eficientes para alimentar los ordenadores necesarios para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y otros ámbitos”, dijo Young-Soo Sohn, Vicepresidente del Grupo de Planificación/Entrenamiento de Memoria DRAM de Samsung Electronics.

“Los equipos de ingeniería de Intel colaboran estrechamente con líderes de la memoria como Samsung para ofrecer una memoria DDR5 rápida y de bajo consumo, optimizada para el rendimiento y compatible con nuestros próximos procesadores Intel Xeon Scalable, cuyo nombre en código es Sapphire Rapids”, agregó Carolyn Duran, Vicepresidenta y Directora General de Memoria y Tecnología IO en Intel.

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Fuente: TechPowerUp

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