Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de sus SSDs de 3,2 TB PCIe, basados en V-NAND 3D (Vertical NAND) nueva tecnología de memoria flash, para su uso en sistemas de servidores empresariales de gama alta.
El modelo es el SM1715, que ha recibido premios en la pasada Flash Memory Summit 2014, ofrece una lectura secuencial de 3.000 MB/s, y escritura de 2.200 MB/s. La lectura aleatoria alcanza las 750.000 IOPs, mientras que la escritura llega a las 130.000 IOPs.
El SM1715 es capaz de resistir 10 escrituras completas por día durante 5 años, lo que lo otorga de una gran durabilidad.