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Samsung anunció hoy que ha añadido la tecnología de proceso FinFET (11LPP, Low Power Plus) de 11 nanómetros (nm) a sus procesos de fundición avanzada, ofreciendo a los clientes una tecnología aún más amplia para sus productos de próxima generación. A través de la ampliación adicional del proceso anterior 14LPP, 11LPP ofrece un rendimiento de hasta 15 por ciento más alto y hasta un 10 por ciento de reducción en el área del chip con el mismo consumo de energía.

Además del proceso FinFET de 10nm para procesadores móviles en teléfonos inteligentes premium, la compañía espera que su proceso de 11nm traiga mejoras a teléfonos inteligentes de gama media y alta. La nueva tecnología de procesos está programada para entrar en producción en el primer semestre de 2018. Samsung también confirmó que el desarrollo de 7LPP con tecnología de litografía EUV (ultravioleta extrema) está en el calendario, apuntando a su producción inicial en la segunda mitad de 2018.

A partir de 2014, Samsung ha procesado cerca de 200.000 obleas con tecnología de litografía EUV y, aprovechando su experiencia, ha visto recientemente buenos resultados en el desarrollo del procesos, con un rendimiento de producción del 80 %, sobre todo con sus chips SRAM de 256 Mb.