Conectarse con nosotros

Hardware

Samsung anuncia sus planes de comenzar la producción a 3nm GAAFET en 2021

Publicado

el

Samsung ha anunciado sus planes para empezar a hacer transistores en masa con el proceso a 3nm GAAFET  (Gate-All-Around Field Effect) en 2021. Además, la compañía reiteró que la producción a 7nm EUV estará comenzando a mitad de año.

Los transistores GAA son transistores FET que cuentan con cuatro puertas en los cuatro lados de un canal para superar la escala física y las limitaciones de rendimiento de la tecnología FinFET, incluida la tensión de alimentación.

La tecnología GAAFET que Samsung va a usar en sus transistores es de desarrollo propio, con esto la compañía se mantiene al frente a los competidores en lo que es procesos de fabricación de componentes.

También se espera que Samsung sea el primero en poner en producción los chips EUV de 7nm en este año. Si bien TSMC y Global Foundries no están muy atrasados ​​en el desarrollo de chips EUV, Samsung tiene una ventaja, y ha desarrollado internamente su propia herramienta de inspección para la tecnología EUV, lo malo es que aún no se ha desarrollado una herramienta similar de manera comercial.

Los rumores hablan de que Nvidia ya tiene pedido a Samsung esta tecnología para sus GPU de próxima generación, para 2020.