Samsung confirmó de forma oficial que ya tiene finalizado el diseño de sus memorias LPDDR5 de 8GB a 10nm, estando listas para comenzar a producirse pronto. Estas se suman a su reciente linea de memorias de próxima generación, que también incluye chips GDDR6 y DDR5.
Estas memorias pueden lograr 6400Mb/s a 1.10v y 5500Mb/s a 1.05v. Como comparación, las memorias LPDDR4X utilizadas en móviles como el Galaxy S9, tienen 4266Mb/s.
Este nuevo tipo de memorias no solo reduce su consumo durante la transferencia de datos, sino que en IDLE se activa su nuevo modo “deep sleep”. Durante este modo se consume la mitad de lo que consume una LPDDR4X en IDLE. En promedio de todos los tipos de carga, el consumo es un 30% menor.
Las memorias entrarán en producción en pocos meses para estar listas para la próxima generación de sistemas embebidos para móviles y por supuesto, smartphones.