Samsung anunció el lanzamiento de una nueva generación de memorias DDR5, las primeras en la industria en utilizar un proceso de fabricación a 12 nanómetros. Según la compañía, la producción en masa de los nuevos componentes comenzará en 2023 y se aplicarán en computación avanzada, centros de datos y aplicaciones de inteligencia artificial.
La compañía también afirma que ya completó su proceso de autenticación para la compatibilidad con los productos de AMD. En la práctica, esto debería significar que las primeras memorias realizadas con el nuevo proceso deberían funcionar sin problemas en placas madre basadas en el estándar AM5, entregando velocidades de 7,2 Gbps y un ancho de banda de 60 GB/s.
Samsung también afirma que sus nuevas memorias DDR5 cuentan con la densidad más alta del mercado, lo que significa la posibilidad de construir módulos que ocupen menos espacio físico. “Este salto tecnológico fue posible gracias al uso de un nuevo material, que aumenta la capacitancia de la celda y una tecnología de diseño que mejora las características críticas del circuito”, dice la compañía.
Las nuevas memorias reducen el consumo de energía
El fabricante surcoreano también afirma que, gracias al aumento de la densidad, las nuevas memorias permiten un 20 % más de productividad en cada oblea. Además, la empresa garantiza un ahorro del 23 % en el consumo de energía en comparación con sus modelos DDR5 de alto rendimiento preexistentes.
“Samsung planea ampliar su línea DRAM basada en esta tecnología de proceso de 12 nanómetros de vanguardia en una amplia gama de segmentos del mercado, mientras continúa trabajando con socios de la industria para respaldar la rápida expansión de la computación de próxima generación”, dijo Samsung.
Fabricantes como SK Hynix y Micron afirman que ya están produciendo chips DDR5 de 10 nanómetros, contradiciendo algunas de las afirmaciones de Samsung.