La carrera por los 2 nm es algo que vienen hablando las principales empresas desde hace unos años, y hoy en un discurso, el Dr. Siyoung Choi, director de la unidad de negocios de Samsung Foundry, dijo que la empresa está en camino de producir chips en masa utilizando su proceso de fabricación a 2 nm en la segunda mitad de 2025. El anuncio, realizado en Samsung Foundry Forum 2021 indica que la empresa continuará desarrollando tecnologías de vanguardia y competirá contra Intel y TSMC.
De hecho, los 2 nm de Samsung Foundry podrían tener una ventaja sobre sus rivales Intel y TSMC.
“Se espera que la fabricación a 2 nm comience en masa en la segunda mitad de 2025”, dijo el Dr. Siyoung Choi. “Cuando lo haga, representará la tercera generación de tecnologías de proceso aplicadas por GAA. En última instancia, esperamos que la transición de la industria a 2 nm sea fluida gracias a la experiencia anterior con 3 nm. En preparación para ese futuro, Samsung Foundry continuará fortaleciéndose sus competencias en tecnologías de procesos “.
En este punto, Samsung no revela las ventajas de su tecnología de fabricación a 2 nm, aunque es natural esperar que un nuevo nodo traiga algunas mejoras de rendimiento, potencia y densidad de transistores en comparación con los nodos de la generación anterior. La compañía tampoco dijo si su proceso de 2 nm derivará de sus nodos de 3 nm o será una tecnología.
Los 2nm traerán mayor densidad de transistores, mayor beneficios de potencia y rendimiento.
Las transiciones a un nuevo proceso son siempre un desafío tanto para los fabricantes de chips como para los diseñadores de chips. Además de cosas como nuevos componentes, nuevas metodologías, nuevas fabricas para los nuevos nodos y nuevas herramientas de automatización de diseño electrónico (EDA), los fabricantes de chips deben aprender cómo maximizar los rendimientos con nuevos transistores, mientras que los desarrolladores de chips necesitan trabajar en un diseño completamente nuevo.
Llegar primero tiene sus beneficios. Para cuando la tecnología de 2 nm de Samsung entre en producción en masa en la segunda mitad de 2025, será el nodo GAA de tercera generación de Samsung el que de vida a los nuevos chips. La compañía tendrá bastante experiencia con el nuevo tipo de transistores para la segunda mitad de 2025, lo que podría traducirse en mejores rendimientos, mayor densidad de transistores y / o beneficios de potencia / rendimiento.
Hay una cosa importante a tener en cuenta sobre el proceso de fabricación de MBCFET a 2 nm de Samsung. Si entra en producción en masa en la segunda mitad de 2025 (que seria el 1 de julio) y tendría listo el primer lote de chips en octubre, los productos basados en estos chips llegarán al mercado en el primer trimestre de 2026 como muy pronto si todo va bien.