Durante el evento Hot Chips 33, Samsung mostró el primer módulo de memoria ram DDR5 con capacidad de 512GB y velocidad de 7200Mbps, y anunció que los chips necesarios para fabricar este módulo comenzarán a producirse de forma masiva durante los próximos meses.
Según reveló la compañía, para alcanzar estas grandes capacidades se debió utilizar la tecnología TSV (Vías a través del silicio), que en este caso permite apilar 8 capas de silicio por cada chip, alcanzando grandes capacidades sin ocupar demasiado espacio ya que se crece de forma vertical y no horizontal. Samsung incluso reveló que gracias al uso de TSV en el futuro podría alcanzar hasta 1TB por módulo, aunque no dio demasiados detalles sobre cuando los veríamos.
Otro interesante anuncio que hizo Samsung es que los 7200Mbps de estos módulos pueden alcanzarse con solamente 1.1v, lo cual indica que aún con bajos voltajes se podrá trabajar a altas frecuencias. Teniendo en cuenta esto, será interesante ver que frecuencias logran los módulos orientados a PCs de escritorio con mayor voltaje, aunque ya marcas como ADATA revelaron que podemos esperar frecuencias alrededor de los 12600Mbps.
Respecto a las PCs de escritorio, Samsung espera que DDR5 se transforme en un estándar recién a finales de 2023 o principios de 2024,lo cual tiene sentido ya que la adopción inicial será baja durante 2022 al haber pocas plataformas compatibles y pocos usuarios que actualicen a estas plataformas. Para ese entonces, Samsung espera ofrecer un rango completo de opciones para quienes actualicen, ofreciendo chips con altas capacidades y altas frecuencias.
¿Qué opinan sobre las enormes capacidades que brindará Samsung con sus nuevos módulos DDR5? ¿Para cuando creen que veremos su módulo de 1TB?
Fuente: WCCFTech