A medida que los fabricantes continúan exprimiendo hasta la última gota de rendimiento de los módulos de memoria GDDR6 y GDDR6X actuales, Samsung ha anunciado la memoria GDDR6W. Samsung afirma que GDDR6W puede competir con el ancho de banda y las velocidades de HBM2.
En 2016, Samsung y otros productores comenzaron a fabricar al sucesor de GDDR, las memoria HBM, pero esta tenia muchos problemas y es por eso que se implemento en muy pocos diseños de Hardware. La memoria de alto ancho de banda 2 (HBM2 o High Bandwidth Memory 2) aparentemente solucionó todos los problemas de la generación anterior, aumentando la capacidad, las velocidades y el ancho de banda. Desafortunadamente, HBM2 nunca tuvo éxito en el mercado de tarjetas gráficas de escritorio.
Las tarjetas graficas Fury y Vega utilizaron memorias HBM y HBM2, respectivamente. Lamentablemente, fracasaron y AMD volvió a la memoria GDDR6 nuevamente, comenzando con las RX 5000. Algunos usuarios estaban comprensiblemente decepcionados por el rápido abandono de HBM2.
Esta semana, Samsung reveló su última incorporación a la familia GDDR6, la memoria GDDR6W. El gigante tecnológico de Corea del Sur quería llevar algunos de los beneficios de HBM2 a la ya exitosa plataforma GDDR6, especialmente el aumento del ancho de banda. Según los detalles y los números que proporciona Samsung, GDDR6W podría cambiar las reglas del juego en las GPU futuras.
Samsung puso un gran énfasis en la realidad virtual y las aplicaciones para el Metaverso. Sin embargo, no hay razón por la que GDDR6W no aporte beneficios a las futuras tarjetas gráficas discretas en general.
Samsung comenzó tomando su plataforma GDDR6 existente e implementando lo que llama “empaquetado a nivel de oblea en abanico” o FOWLP. En lugar de colocar los chips de memoria en una PCB, se montan directamente en una oblea de silicio. Las capas de redistribución permiten “patrones de cableado más finos” y, dado que no hay PCB involucrada, los módulos serán más delgados en general, y tendrán una mejor dispersión del calor.
“Con esto pueden equiparse dos chips de memoria en un paquete de tamaño idéntico, la capacidad de DRAM gráfica ha aumentado de 16 Gb a 32 Gb, mientras que el ancho de banda y la cantidad de E/S se ha duplicado de 32 a 64. En otras palabras, el área requerida para la memoria se ha reducido un 50 % en comparación con los modelos anteriores”.
Estos cambios en la ubicación del módulo y el tamaño general de la matriz dan como resultado que GDDR6W ocupe un área mas chica que GDDR6, además que los módulos podrían “ponerse en los mismos procesos de producción” utilizados en los productos GDDR6 actuales.
El ancho de banda de GDDR6W se acerca mucho al de HBM2E. El límite de ancho de banda de la memoria GDDR6X actual es de alrededor de 1 TB por segundo, y el de GDDR6W lo supera significativamente en unos 400 MB/s.
Si bien es casi seguro que no veremos GDDR6W en ninguna tarjeta gráfica Lovelace o RDNA3, siempre existe la posibilidad de que NVIDIA o AMD adopten GDDR6W en una próxima generación.