El silicio tiene sus días contados en la fabricación de semiconductores, debido a que no falta mucho para alcanzar sus límites físicos, y por eso los distintos fabricantes están investigando y buscando nuevos materiales para fabricar semiconductores. En este caso, es Samsung quien descubrió junto al Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan y la Universidad de Cambridge una nueva alternativa, llamada Nitruro de Boro Amorfo.
Este nuevo material formado por Boro y Nitrógeno tiene una estructura molecular amorfa ya que deriva del grafeno blanco, el cual se basa en Boro y Nitrógeno en una estructura molecular hexagonal, al cual se le cambia su estructura para cambiar sus propiedades eléctricas. Gracias a estos cambios estructurales, logra tener una constante dieléctrica ultra-baja de 1.78 junto a fuertes propiedades eléctricas y mecánicas, siendo ideal para la futura generación de semiconductores. Además puede fabricarse al tamaño de una oblea a una baja temperatura de solo 400°C, siendo ideal para fabricar a gran escala para memorias DRAM y NAND.
Esta investigación deriva de los avances e investigaciones de Samsung en el ámbito del grafeno, las cuales seguirán expandiéndose en la búsqueda del semiconductor ideal para la próxima generación de semiconductores. No está confirmado que este material vaya a utilizarse en forma comercial, aunque si es un muy buen candidato para ello.
Si están interesados en conocer más sobre este avance, pueden leer el comunicado oficial de la empresa visitando este link.
¿Que opinan sobre este nuevo descubrimiento de Samsung? ¿Están ansiosos por ver los futuros avances en el campo de los semiconductores?