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Primera memoria de cambio de fase por Micron

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Micron anunció hoy la disponibilidad de la primera memoria de cambio de fase del mundo para móviles en un paquete de doble (múltiple) chip. Podemos hacer muchos comentarios acerca de la memoria PCM, pero la definición más corta es que es un reemplazo de la memoria flash con velocidades de grabación mucho más altas y mayor durabilidad.

Además de ser la competidora directa de la memoria flash, la memoria PCM también puede actuar como un chip de memoria RAM.

Las dos principales ventajas de la PCM sobre NAND es que las velocidades de grabación son considerablemente más grandes, mientras que la resistencia es superior.

La mayoría de las SSDs que utilizan celdas NAND de 25nm tienen una durabilidad nominal de 3.000 o 5.000 ciclos de grabación/borrado (P/E), que se traduce en una vida útil de 5 a 10 años de uso diario.

Un dispositivo de almacenamiento que usa la tecnología PCM puede durar hasta 100.000 ciclos de P/E, por lo estos son al menos 20 veces más duraderos que los dispositivos NAND actuales.

La tecnología PCM se basa en los dos estados del calcógeno: amorfo y cristalino.

“El estado amorfo posee una gran resistencia y se utiliza para representar el cero binario, mientras que el estado cristalino de baja resistencia representa al uno”.

Esta tecnología es muchas veces más lenta que la SRAM actual, pero es muchas veces más rápida que las celdas NAND al grabar datos, mientras que la velocidad de lectura es competitiva.

Todavía queda por verse si la PCM logra competir exitosamente contra la tecnología NAND en cuanto al precio.

En vez de lanzar un dispositivo PCM de alta capacidad como el chip PCM Samsung de 8Gb, Micron está ofreciendo un paquete multichip que 1 Gb para el almacenamiento del sistema operativo y del software y una memoria LPDDR2 de alta velocidad, con capacidad de 512 Mbits.