El consorcio de empresas que forman parte del proyecto “Hybrid Memory Cube” tiene un nuevo miembro: Microsoft. Los de Redmon se unen a otros gigantes de la industria como Samsung o Micron para formar parte del equipo de desarrollo de esta nueva tecnología.
El “Hybrid Memory Cube” (HMC) planea implementar una estructura de silicio que permita distribuir los componentes de forma tridimensional al pasar, de la forma plana habitual, a emplazarlos también en vertical.
Algunos prototipos ya mostrados por Micron a lo largo de este mismo año han demostrado las grandes posibilidades de esta tecnología: Micron ha presentado componentes de memoria DRAM capaces de conseguir una velocidad de pico de 128 GB/s, frente a los 12.8 GB/s de las memorias DDR3 comerciales.
Pero no todo es mejorar el rendimiento, esta tecnología también promete reducir el consumo energético drásticamente, siendo perfecta para integrarla en dispositivos móviles.