La próxima generación de memoria dinámica de acceso aleatorio se está acercando con cada día que pasa, y ahora nos toca ver el primer módulo de Micron basado en ella.
Micron no es la primera empresa que demuestra un módulo de memoria DDR4. Hynix fue la primera, el mes pasado, incluso antes de que JEDEC revelara algunos detalles clave acerca de la especificación.
Sin embargo, ahora vamos a hablar del primer módulo que Micron ha sacado a luz.
Con una capacidad de 4 GB, se compone de una PCB (placa de circuito impreso) y ocho chips DDR4 de 4GB.
Dichos chips son construidos usando el proceso de fabricación de 30 nm y fueron desarrollados en colaboración con Nanya.
“Dado que la definición de JEDEC para DDR4 está muy cerca de la finalización, hemos puesto un esfuerzo significativo en garantizar que nuestro primer producto DDR4 es completamente compatible con JEDEC en esta etapa final de su desarrollo”, dijo Brian Shirley, vicepresidente de DRAM Solutions Group de Micron.
“Hemos proporcionado muestras a los principales socios en el mercado con la confianza de que el chip que les damos ahora es el mismo chip que usaremos en la producción en masa.”
Micron tiene la intención de producir una completa colección de productos DDR4: RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM y UDIMM.
Las velocidades iniciales serán de 2.400 megatransfers por segundo (MT/s), pero módulos posteriores subirán a 3.200 MT/s.
Intel reveló previamente que su plataforma Haswell-EX añadiría soporte para DDR4 apenas en 2014, pero Micron es una de las empresas que desean acelerar las cosas. Ella quiere dar rienda suelta a su nueva RAM en 2013. La producción en masa comenzará en el cuarto trimestre de 2012.
Para aquellos que se preguntan, Samsung es la empresa que no estuvo contenta con el plan de lanzar el estándar DDR4 apenas dentro de dos años. Lamentablemente, aunque terminen sus dispositivos en 2013, no verán muchas demandas si no hay ningún y procesador o placas base compatibles con ellos.