La memoria no volátil a menudo tiene la primera probada en un nuevo proceso de fabricación de silicio, ya que es un desarrollo de bajo riesgo. Un chip flash NAND es esencialmente un mar de transistores, con una fracción del costo de I + D (Investigación y Desarrollo) de algo tan especializado como un dado de CPU.
No debería sorprender, que los primeros chips que se construirán en los fabulosos nuevos 10 nanómetros de Intel serán de una memoria flash NAND de 64 capas 3D, la primera de su tipo para aplicaciones de centro de datos.
Con su proceso de 10 nm, Intel está introduciendo FinFET Hyper Scaling, Intel aumentará las densidades de transistores en 2,7 veces, con la anterior tecnología. Esto permite a la empresa escalar densidades de almacenamiento flash NAND. Los primeros chips flash 3D NAND de 64 capas a 10 nm tendrán altas densidades de datos, mientras que al mismo tiempo, Intel podrá impulsar volúmenes bajos, característicos de un nuevo proceso.
Esto explica por qué los primeros SSD construidos con estos chips están dirigidos a centros de datos, por lo que los SSD de alta capacidad, son bastante caros, y solo se pueden enviar a los clientes que pueden pagarlos.
