En el marco de la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC 2021), el codirector general de TSMC, Deyin Liu, reveló que el proceso de 3nm de la compañía está superando las expectativas, y se adelantará al calendario previsto.
Esto quiere decir que la etapa de producción de prueba comenzará este mismo año, durante el segundo semestre, y si todo marcha según lo esperado, alcanzará la producción en masa en 2022.
A diferencia de la agresiva elección de Samsung con el proceso GAAFET para su nodo de 3nm, el proceso de primera generación de 3nm de TSMC es más conservador y seguirá utilizando transistores FinFET. En comparación con el proceso de 5nm, los 3nm del gigante taiwanés presentan un aumento del 70% en la densidad de transistores, lo que permitirá ofrecerle a sus clientes una mejora de rendimiento del 11%, o una reducción del consumo energético del 27%.
Por último, Deyin Liu indicó que la litografía EUV se está volviendo cada vez más relevante, y que tanto el proceso de 5nm, como el de 3nm, o incluso un futuro proceso de 2nm, seguirán empleando esta tecnología.
Sin embargo, la capacidad sigue siendo un problema para la litografía EUV, algo que se suma a un consumo energético bastante elevado. Para hacer frente a esto, Deyin mencionó que TSMC cuenta con un avance en la tecnología EUV, con una potencia de hasta 350W, que no solo puede soportar el proceso de 5nm, sino que incluso en el futuro puede ser utilizado hasta el esperado proceso de 1nm.
El proceso de 3nm de TSMC podría alcanzar la producción en masa en 2022 ¿Qué producto les gustaría ver fabricado bajo este nodo?
Fuente: MyDrivers