El mercado de memorias de alto rendimiento tiene un rey claro hace años. HBM domina cuando se habla de ancho de banda extremo para IA y cómputo intensivo. Pero ahora Intel quiere meterse en esa pelea con una propuesta distinta.
La compañía presentó públicamente el primer prototipo de Z-Angle Memory, conocida como ZAM, una tecnología desarrollada junto a Saimemory, subsidiaria de SoftBank. La idea es atacar dos problemas clave de las soluciones actuales. El consumo energético y las limitaciones térmicas.
¿Qué es Z-Angle Memory y cómo funciona?
Hasta ahora ZAM solo existía en papers técnicos y comunicados de prensa. Pero durante el evento Intel Connection Japan 2026, la empresa mostró un prototipo funcional y explicó en detalle su arquitectura.
El diferencial está en la topología de interconexión. En lugar de conectar los chips de memoria en línea recta hacia abajo, como sucede en los diseños tradicionales, ZAM utiliza interconexiones de cobre en ángulo dentro del stack de silicio. Es decir, las conexiones viajan en diagonal.
Según Intel, este diseño mejora la disipación térmica y reduce los cuellos de botella asociados a las arquitecturas actuales. La empresa sostiene que la capacidad térmica es uno de los mayores beneficios de ZAM, algo clave en entornos de IA donde la memoria mantiene el rendimiento bajo presión constante.
Entre las mejoras teóricas que se mencionaron en la presentación aparecen cifras interesantes. Si estos números se concretan, la propuesta sería difícil de ignorar en el segmento de alto rendimiento.
- Reducción del consumo energético de entre 40 y 50%.
- Fabricación simplificada gracias a las interconexiones en ángulo.
- Mayor capacidad por chip, con configuraciones que podrían alcanzar hasta 512 GB.
El rol de Intel y el objetivo frente a HBM
En el evento estuvieron presentes Joshua Fryman, Fellow de Intel y CTO de Intel Government Technologies, junto con Makoto Onho, CEO de Intel Japan. La presencia de ejecutivos de peso muestra que el proyecto no es un experimento aislado.
El rol exacto de Intel dentro de ZAM no está completamente definido, pero el material presentado indica que la compañía se encargará de la inversión inicial y de las decisiones estratégicas. Es una jugada interesante, sobre todo considerando que Intel abandonó el negocio de DRAM hace décadas.
El movimiento sugiere que la empresa busca competir directamente en el mercado dominado por HBM. Si ZAM logra cumplir con sus promesas de eficiencia energética y capacidad, podría ofrecer una propuesta sólida para centros de datos y aplicaciones de inteligencia artificial.
Por ahora es un prototipo. Pero el mensaje es claro. Intel quiere volver a tener peso en el terreno de la memoria avanzada.
