Intel ha presentado oficialmente su esperado proceso de fabricación Intel 18A, marcando un logro en su historia tras más de una década sin superar a TSMC en el sector de semiconductores. Esta tecnología representa un gran salto, no solo para la compañía, sino también para la industria, prometiendo mejorar el rendimiento y la eficiencia energética, al tiempo que desafía el dominio de TSMC en la carrera de los procesos de fabricación avanzados.
Entre las características destacadas de Intel 18A se encuentra un aumento de hasta el 15% en el rendimiento por vatio y una mejora del 30% en la densidad de los chips respecto al nodo Intel 3. Además, este será el primer nodo sub-2 nm fabricado en América del Norte, fortaleciendo las cadenas de suministro locales y ofreciendo una alternativa a los fabricantes que dependen mayoritariamente de las fábricas asiáticas.
Uno de los avances más grandes es la implementación de la tecnología PowerVia, el primer sistema de suministro de energía en la parte trasera (BSDPN) en la industria, que reduce significativamente la pérdida de energía y mejora la densidad de los transistores. Además, la adopción de la arquitectura RibbonFET, basada en transistores GAA, permitirá un mayor control de la corriente eléctrica y una reducción considerable en las fugas de energía, optimizando el rendimiento en tareas intensivas como la IA generativa.
Mientras Intel avanza con su nuevo proceso, TSMC no se queda atrás. La compañía taiwanesa planea una producción masiva de más de 100.000 obleas mensuales con su proceso N2 (2 nm) antes de finalizar el año, aumentando la presión sobre Intel. Aunque las tasas de éxito de ambos procesos aún no se conocen con certeza, se espera que superen el 70% en el momento de lanzar los primeros chips comerciales. Con estos avances, 2026 se ve como un año tremendo para la industria de semiconductores.
Fuente: Tom’s Hardware
