Ya hemos ofrecido detalles sobre el impresionante logro de Samsung que permitirá a los chips modernos, construidas mediante el recién bautizado Barristor de la compañía, llegar a frecuencias de funcionamiento de entre 300 GHz y 1 THz.
También hemos destacado que el grafeno es un material con el que se trabaja bastante difícil, ya que es un semi-metal y el flujo de electrones no se puede detener fácilmente.
Por otra parte, el intento de transformar radicalmente el grafeno en un semiconductor disminuye significativamente la deseada movilidad de los electrones.
Aunque el silicio parece mucho más cercano al mercado que un chip de grafeno puro, las tecnologías que combinan el grafeno con otros materiales son consideradas menos deseables que una implementación de grafeno puro por las razones mencionadas anteriormente.
El grafeno tiene una movilidad electrónica de entre 200 y 300 veces superior al silicio. Cuando se combina con otros materiales, este valor se reduce a alrededor de 1,5 a 3 veces en comparación con la movilidad electrónica del silicio.
Los investigadores de la Universidad de Penn State han logrado incrementar una capa muy fina de grafeno sobre una capa de nitruro de boro hexagonal (hBN).
El grafeno tiene un grosor de sólo tres átomos, mientras que el nitruro de boro hexagonal es casi cien veces más grueso.
Incluso si ignoramos los costes de la implementación y dominamos una tecnología de este tipo, el hecho de que la movilidad electrónica es sólo 2-3 veces mayor que la del silicio la hace parecer mucho menos deseable que la tecnología del barristor de grafeno de Samsung.
La otra ventaja es que la combinación entre el grafeno y el nitruro de boro hexagonal (hBN) se ha aplicado en un diseño tradicional de transistor en vez de ser usado junto con un componente microelectrónico nuevo, como el barristor.