Puede que Samsung haya comenzado a trabajar en los chips de 20nm, pero Elpida afirma que ha creado el chip DDR3 de 4Gb más pequeño del mundo, basado en una tecnología de 25nm.
Hay una gran razón por la cual los semiconductores tienen cada vez una mayor eficiencia energética con el tiempo, en el caso de los módulos DRAM y NAND.
Básicamente, los fabricantes suelen mejorar sus procesos de fabricación, reduciendo el tamaño del paquete e incrementando todos los aspectos del proceso.
Samsung es una de las compañías que han tenido una buena razón para presumir con el proceso de fabricación de 20nm de los módulos DRAM DDR3.
Ahora, Elpida está ganando mucha fama por haber diseñado la memoria DDRAM DDR3 de 4 gigabits más pequeña del mundo.
Basada en la tecnología de fabricación de 25nm, tiene una frecuencia de reloj de 1.866 MHz y puede funcionar en dos modos de voltaje.
La opción de bajo voltaje es de 1.35V, mientras que la otras es de 1.5V, algo más común.
Hasta ahora podría decirse que el chip se perfile como un impresionante producto, pero las cosas no se quedan aquí.
Elpida ha podido lograr que el chip consuma entre un 25-30% menos energía que los actuales módulos DRAM de 4Gb fabricados con el proceso de 30nm, así como entre un 30 y un 50% menos energía durante el tiempo de espera.
Con respecto a la productividad, el impulso del 45% no es demasiado sorprendente, ya que es consecuencia de su nodo de fabricación, que es cada vez más pequeño y le permite al chip tener un tamaño muy compacto.
Desafortunadamente, aunque Elpida ya formalizó su logro, no tenemos nada que mostrar hasta finales de este año, cuando se envíen las primeras muestras o quizás comience la producción en masa.
Las aplicaciones empresariales, teléfonos móviles, tabletas, electrónicos de consumo, ordenadores y muchos más dispositivos podrán aprovechar las nuevas capacidades de RAM.