Se espera que DDR4, el nuevo estándar de memoria DRAM, sea adoptado masivamente hasta el año 2014, lo que significa que las compañías detrás de su existencia deberían empezar a mostrar ya prototipos este tipo de memoria.
La Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), que acaba de tener lugar (entre el 19 y el 23 de febrero), fue la ocasión perfecta para revelar los chips de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de próxima generación.
Hynix es una de las empresas que crearon un dispositivo DDR4. El chip funciona a 2400MHz (2400Mb/s) y necesita una tensión de 1.2V. Lleva una E/S de 64 bits.
La segunda compañía en sacar un producto DDR4 fue Samsung. La frecuencia de reloj de su dispositivo era de 2.133 MHz y la tensión de 1.2V, al igual que el chip anterior.
Hynix utilizó la tecnología de proceso de fabricación de 38nm, mientras que Samsung empleó el nodo de 30 nm.
En aras de la comparación, el estándar DDR3 necesita 1.3V o 1.5V para funcionar, aunque el proceso de fabricación sea el mismo.
Con todo, los módulos DDR4 no sólo van a ser más rápidos, sino que también van a consumir menos energía, alrededor del 40% menos en comparación con sus predecesores. Sin embargo, no serán compatibles con el pin.
Elpida, Micron y Nanya no mostraron prototipos de DDR4 en el evento. Después de todo, no hay ninguna prisa, ya que los chips y los módulos no estarán disponibles muy pronto. La producción en masa comenzará apenas en 2013, lo que significa que la disponibilidad general podría ocurrir en 2014, como más temprano.
Hasta entonces, las compañías de memoria tendrán que hacer frente a asuntos más apremiantes, como los bajos precios de todos los chips DRAM y el hecho de que los consumidores, aunque no critiquen, tampoco parecen estar respondiendo con mucho entusiasmo. Las ofertas de contrato están subiendo poco a poco ahora, pero no hay ninguna garantía de que esta tendencia va a durar.
