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El CEO de Intel asegura que el retraso de los 10nm se produjo por ser muy agresivos

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Durante la conferencia Fortune Brainstorm Tech en Aspen, Colorado, el CEO de Intel Bob Swan habló sobre la compañía en la actualidad y hacia donde se dirigen, y cómo la compañía planea evolucionar. El enfoque particular de su charla fue sobre cómo Intel pasó de ser “centrada en datos” a “centrada en PCs”, y los problemas que tuvo.

Sin embargo, cuando le preguntaron sobre la caída de la Ley de Moore (aquella que dice que cada aproximadamente dos años se duplica el número de transistores de los microprocesdaores), Swan explicó lo fuerte que intentaron superar este desafío. En vez de duplicar la densidad de transistores cada dos años, Swan dijo que Intel siempre buscó tener mejores y mayores densidades para mantener el liderazgo en la industria.

Con los 10 nanómetros, Intel busca mejorar la densidad por 2,7 veces comparado con la última generación de 14 nanómetros. Swan dijo que el retraso de cinco años para el nodo de 10nm fue causado por una “innovación muy agresiva”, añadiendo que “en un momento que se vuelve cada vez más difíciles, pusimos objetivos más agresivos”, y que esa es la principal razón del retraso. Además, dijo que Intel mantendrá la mejora del doble de densidad en dos años con el nodo de 7nm, que se supone que se lanzará en dos años y ya está en desarrollo.

Cuando habló del futuro de Intel, Swan aclaró que la cuota de mercado actual es del 30% para el “mercado del silicio”, diciendo que Intel está tratando de diversificar sus ofertas actuales de CPUs y FPGAs a todo lo que requiera gran capacidad de cómputo, para poder capturar al resto del mercado.

¿Qué opinan de estas declaraciones del CEO de Intel?

Fuente: TechPowerUp