ChangXin Memory Technologies, una startup china fundada en 2016 que antes se conocía como «Innotron Memory», afirma que se ha convertido en el primer y único proveedor nacional de DRAM de China. Tras el anuncio de que comenzó la producción de chips DRAM nacionales, ChangXin ya esta trabajando con sus primeras obleas de DRAM. Con una producción de alrededor de 20000 obleas por mes, la compañía actualmente está construyendo chips LPDDR4, DDR4 de 8 Gbit utilizando el nodo «de 10 nanómetros», que se supone que tiene un tamaño de 18 o 19 nm en realidad.
La compañía espera duplicar su producción de obleas a 40000 por mes en algún momento alrededor del segundo trimestre de 2020, cuando las expansiones a la fabrica comiencen a producir. ChangXin planea abrir pronto dos instalaciones de fabricación más para comenzar a fabricar aún más obleas, además de su Fab 1.
Hasta ahora, ChangXin ha trazado su estrategia en la fabricación de memoria DRAM basada en condensadores apilados, que es distinta de la tecnología habitual de condensadores en ‘zanjas/trincheras’.
Fuente: techpowerup.com