AMD trabaja en un modo para extender la vida útil de la memoria DDR5 y, al mismo tiempo, duplicar su velocidad de transferencia de datos. La información viene de una patente registrada por la compañía, donde se describe una solución que podría marcar un salto importante en rendimiento antes de la llegada de DDR6.
DDR5 HB-DIMM con pseudocanales optimizados
La patente detalla un diseño de módulos DDR5 HB-DIMM (High Bandwidth DIMM). Estos módulos integrarían pseudocanales optimizados que trabajan de manera sincronizada para mejorar el flujo de datos. La clave estaría en combinar múltiples chips de DRAM con chips de búfer dedicados, responsables de gestionar la transferencia de información.
Con este esquema, AMD asegura que la velocidad podría pasar de 6,4 Gbps a 12,8 Gbps por módulo, lo que representaría el doble de rendimiento frente a la memoria DDR5 actual.
Facilidad de implementación
Además del rendimiento, AMD apunta a que el diseño sea fácil de implementar. Según la patente, la solución sería compatible con las arquitecturas de DRAM ya existentes, por lo que los fabricantes no necesitarían realizar cambios profundos para producir módulos basados en esta tecnología.
El documento también describe compatibilidad con modos 1n y 2n, lo que ofrece mayor versatilidad en la gestión de señales y relojes, asegurando que los nuevos módulos cumplan con los requisitos de validación DDR5.
¿Puede competir con DDR6?
Como ocurre con muchas patentes, no hay garantías de que esta innovación llegue al mercado. Todo dependerá de su viabilidad técnica y comercial, especialmente considerando que la DDR6 se espera para 2027.
Lo interesante es que, sobre el papel, el salto de rendimiento que propone AMD para DDR5 podría superar incluso las previsiones iniciales de DDR6. En caso de ser viable, la compañía también podría adaptar esta misma arquitectura para la próxima generación de memorias.
Por ahora, se trata de una idea protegida en papel, pero si AMD logra llevarla al mercado, podría cambiar la hoja de ruta de la industria de la memoria RAM en los próximos años.
