Un corte de luz en la madrugada del 31 de Diciembre en las fábrica de Samsung ubicada en Hwaseong, Corea del Sur, causó la pérdida de miles de chips de memorias DRAM y NAND que estaban en proceso de fabricación en ese momento.
Un corte de luz en la madrugada del 31 de Diciembre en las fábrica de Samsung ubicada en Hwaseong, Corea del Sur, causó la pérdida de miles de chips de memorias DRAM y NAND que estaban en proceso de fabricación en ese momento.
Samsung confirmó que el día 9 de Marzo hubo un corte de luz en su planta de Pyeongtaek, Korea durante la fabricación de memorias NAND. Esto produjo un daño en…