SanDisk Corporation, líder mundial en soluciones de almacenamiento flash, anunció hoy la disponibilidad de su tecnología de 15 nanómetros (nm), el nodo de proceso NAND flash más avanzada en el mundo. La tecnología de 15 nm, impulsará en ambas (X2) dos bits por celda (X3) y las arquitecturas de memoria flash NAND de tres bits por celda, su producción comienza en el segundo semestre de 2014.
“Estamos encantados de continuar nuestro liderazgo tecnológico con el más avanzada nodo de proceso de memoria flash en la industria, lo que nos permite entregar un producto mas pequeño y más rentables,” dijo el Dr. Siva Sivaram, vicepresidente senior de tecnología de memoria de SanDisk. “Estamos encantados de que estos nuevos chips, nos permitirán diferenciarnos aún más y ampliar nuestra cartera de soluciones de flash NAND.”
La tecnología de 15nm utiliza muchas innovaciones de proceso avanzado y soluciones de células de diseño para escalar las fichas a lo largo de los dos ejes. All-Bit-Line (ABL), la arquitectura de SanDisk, que contiene los algoritmos de programación propietarios y esquemas de administración de almacenamiento de datos de varios niveles, se ha implementado en la tecnología 1Z para ofrecer soluciones de flash NAND sin sacrificar el rendimiento o la fiabilidad de la memoria. La Tecnología 1Z de SanDisk se utilizará a través de su amplia gama de soluciones.