Samsung dijo que comenzaría a producir chips de 10nm FinFET en 2016, llegando al mercado en 2017. El proceso de litografía puede aumentar la velocidad de rendimiento del hardware en un 20%, reduciendo el consumo de energía en un 40%.
La compañía dijo que afinara los transistores y los espacios inferiores de interconexión con la tecnología actual es de 14 nm. Tras el anuncio, Samsung también dijo otros detalles: “Tenemos un kit de desarrollo (PDK) completo para nuestros principales consumidores.”
Samsung ya había mostrado una oblea de 300 mm que se fabrico con tecnología de 10 nm, y será entregado al mercado en 2016, justo antes de los chips FinFET.