Samsung ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en masa de “through silicon via” (TSV) de doble tasa-4 (DDR4) módulos de memoria de 128 GB dirigidos a servidores empresariales o centros de datos.
El nuevo módulo de TSV DRAM cuenta con la capacidad más grande y la más alta eficiencia energética de cualquier módulo DRAM en el mercado hoy en día, mientras que ofrece un alto rendimiento y una excelente fiabilidad.
El módulo de 128GB TSV DDR4 RDIMM se compone de un total de 144 fichas DDR4, dispuestos en 36 paquetes de 4 GB de DRAM. Cada uno de ellos contiene cuatro chips de 8 gigabits construidos en 20nm que son ensamblados utilizando la tecnología TSV.
El módulo puede ofrecer velocidades de hasta 2.400 megabits por segundo (Mbps), que pasa a ser el doble que los mejores módulos DRAM anteriores, garantizando al mismo tiempo un 50% menos de consumo de energía.
En un futuro cercano, Samsung espera introducir nuevos módulos TSV DRAM que llegarán a velocidades de transferencia de datos de hasta 2667 Mbps y 3200 Mbps. También ampliará las aplicaciones TSV en la memoria de alto ancho de banda (HBM), así como su línea de productos de consumo.